Die Leistungselektronik mit Halbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) bietet in Elektrofahrzeugen ein breites Spektrum an Vorteilen gegenüber der IGBT-Technologie. In dem Projekt STRIVE wird ein SiC-Hochleistungs-Traktionswechselrichter gebaut, um das volle Potenzial der neuen Technologie auszuschöpfen.
- Wechselrichter auf Basis von SiC ermöglichen einen hohen Wirkungsgrad sowie eine hohe Leistungsdichte und ersetzen zunehmend herkömmliche Technologien auf Siliziumbasis
- Der Wechselrichter basiert auf speziellen SiC-Halbbrückenleistungsmodulen aus einer Vorserie, welche exklusiv vom Hersteller bereitgestellt werden
- Der Wechselrichter soll über eine Nennausgangsleistung von 340kW und einen maximalen Phasenstrom von über 500A bei einer Zwischenkreispannung von 800V verfügen
Wechselrichter-Prototyp
Eckdaten zum Projekt
- Strive – HIGH PERFORMANCE SIC TRACTION INVERTER
- Programm: Unabhängiges Forschungsprojekt des AIT
- Projektdauer: 01/2019 - 03/2021
Projektpartner
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ON Semiconductor (https://www.onsemi.com/)
